Перегляд за темою "Технологические процессы и оборудование"

Результати 21-40 з 112

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Турцевич, А.С.; Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Васьков, О.С.; Кононенко, В.К.; Нисс, В.С.; Керенце, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа ...
Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема

Попукайло, В.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)

Рассмотрены методы нахождения значений линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема. Исследовано влияние процедур виртуального увеличения объема выборки на значение коэффициента корреляции Пирсона, а также ...
Исследование погрешности сопротивления тонкопленочного резистора

Спирин В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Исследована погрешность сопротивления тонкопленочного резистора, вызванная исключением контактных площадок перекрытия резистивного и проводящего слоев.
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники

Борисенко, А.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Описан источник потоков плазмы твердофазных материалов, генерируемых вакуумно-дуговым разрядом в парах диффузно испаряемого анода. Источник способен эффективно создавать бескапельные потоки плазмы различных металлов в ...
Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры

Житник, Н.Е.; Плаксин, С.В.; Погорелая, Л.М.; Соколовский, И.И.; Яшин, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Обсуждается метод конструкторского синтеза магнитоформирующей системы с изменяющимся направлением вращения магнитного поля, которое позволяет учесть хиральную дисимметрию молекул веществ, подлежащих обработке магнитным полем.
Источник питания для контактной микросварки с программируемой формой сварочного импульса

Паэранд, Ю.Э.; Бондаренко, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)

Предложен источник питания для контактной микросварки, позволяющий повысить качество микросварного соединения путем обеспечения необходимой формы сварочного импульса.
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста

Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием ...
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵

Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Гиясова, Ф.А.; Саидова, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.
Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния

Спирин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Рассматриваются три конструктивно-технологических варианта коммутационных плат с подложкой из кремния. Излагается краткая технология изготовления платы с переходными отверстиями.
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Якубов, Э.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда).
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe

Загоруйко, Ю.А.; Коваленко, Н.О.; Христьян, В.А.; Федоренко, О.А.; Герасименко, А.С.; Добротворская, М.В.; Матейченко, П.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения.
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния

Крапивко, Г.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Осуществлен метод лазерной обработки, основанный на эффективном изменении поверхности при текстурировании предварительно нагретого монокристалла кремния.
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде

Рудякова, А.Н.; Липинский, А.Ю.; Данилов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Разработана функциональная модель взаимодействия акустической и оптической импульсных последовательностей сигналов в апертуре акустооптического модулятора. Экспериментальные данные подтверждают результаты моделирования и ...
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем

Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет ...
Метод защиты поверхности расплавленного припоя от окисления

Курмашев, Ш.Д.; Лавренова, Т.И.; Бугаёва, Т.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Разработаны смеси для защиты поверхности расплава припоя от окисления на основе глицерина, мочевины, порошков оксидов, карбидов (Al₂O₃, TiO₂, SiC), графита.
Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты

Ланин, В.Л.; Петухов, И.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Предложена методика расчета параметров полуволновых пакетных УЗ-пьезоизлучателей и ступенчатых волноводов, обладающая погрешностью не более 6—8%, которая может быть достаточно эффективно использована для проектирования ...
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы

Попов, В.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П.; Самотовка, В.Л. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Метод основан на использовании визуального отображения в поляризационном микроскопе локально нагретых областей в пленке холестерического жидкого кристалла на поверхности кристалла интегральной схемы.
Метод оценки качества тонкопленочной платы

Спирин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Разработан метод оценки качества тонкопленочной платы, который основан на результатах измерения сопротивления резисторов и вычисления их инструментальных погрешностей. Применение данного метода позволяет увеличить выход ...
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

Пилипенко, В.А.; Горушко, В.А.; Петлицкий, А.Н.; Понарядов, В.В.; Турцевич, А.С.; Шведов, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в ...
Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния

Иванчиков, А.Э.; Кисель, А.М.; Медведева, А.Б.; Плебанович, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Рассмотрены модель возникновения дефектов на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе, а так-же модель удаления этих дефектов в растворах химикатов.

Результати 21-40 з 112

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за темою "Технологические процессы и оборудование"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за темою "Технологические процессы и оборудование"

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис