Реализация дозиметрических систем на основе исследованных сред требует учета послерадиационной релаксации значений контролируемого параметра и его зависимости от нагрева.

Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования ...